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背景介绍作为重要的二维半导体材料，发现福硒化铟（InSe）具有高达1×103 cm2V-1s-1的室温电子迁移率，发现福及超宽的光谱响应范围（从体相减薄至单层，带隙值可增加1.0eV）等特点，因而在电子和光电子器件，如场效应晶体管、光电探测和影像传感等领域有重要应用价值。

原爱有异的缘(a)D3d单层和D3h单层结构的轨道投影能带图。中种极相关阅读：行走的超级大平板。

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